バーンイン装置

ニーズに合わせたバーンインシステム

当社は40年以上に渡りバーンイン装置関連に取組んできております。
当初、MOS型半導体が市場に出回ったころから、市場不良がバイポーラ型に比べ多いことが問題となり、半導体メーカー様と一緒に対応策に取り組みさせて頂けたことが当社の強みとなっております。
最近では半導体の微細化がさらに進みゲート酸化膜のストレスだけでなくデバイスを最高速で動作させなければ取り除けない不良も出てきているようですので、当社の実績といたしましては、例えばDDR3ですと最大周波数1.6Gbps(125℃)でのバーンイン環境もご提供させていただいております。

バーンインの目的

測定されているデバイスに温度と電圧、最近では電流負荷をかけることによって被測定デバイスを寿命加速させ、
初期不良をスクリーニングすることにあります。なお、初期不良とは主に以下の４種類が挙げられます。

• 酸化膜破壊

• 汚染による特性変動

• パーティクルによる破壊及び特性変動

• マイグレーションによる配線破壊

バーンインシステム

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  コンタクトモニターバーンイン

  コンタクトモニターバーンインとはバーンインソケットの各ピンのコンタクトが正常に接触しているかをモニターしながらバーンインが行える装置です。

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  モニターバーンインBI-M Series

  各種ロジックIC・アナログIC及び高電圧パワーデバイスICを対象としたバーンインシステムです。 多電源にも対応しています。また、最新の微細プロセスに合わし更に動作最高スピードでの低電圧・大電流用モニターバーンインも取り扱っております。

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  ダイナミックバーンインBI-D Series

  各種ロジックIC・アナログICを対象としたバーンインシステムです。

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  テストバーンインBI-T Series

  ロジックIC・メモリIC等を対象としたバーンインシステムで、デバイス内部の動作テストも同時に行います。

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  QAT（品質保証部門）用モニターバーンイン

  メモリIC・ロジックIC・ASICなどを対象としたバーンインシステムです。
  低温バーンイン（-55℃）に対応できます。

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  カスタムバーンインシステム

  各種ロジックIC及びアナログIC向けバーンインシステムです。

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  コンパクトテストバーンインシステム

  マイコン・SOC・MSIG向けバーンインシステム（開発中）です。

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  システムリニューアル

※高速・高電圧のバーンイン装置も承ります。

バーンインボード

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  バーンインボード

  DRAM・フラッシュ・MCP・マイコン・SOC・MSIG・SRAM向けの
  バーンインボードです。

※バーンインボード以外の各種基板の設計・製作も承ります。